Dram voltage control что это
Обновлено: 02.07.2024
Ниже приведен список технических терминов, относящихся к разгону памяти с процессором Ryzen. Последний использует стандартную архитектуру памяти DDR4, поэтому вы можете быть знакомы с некоторыми из этих терминов. Некоторые другие термины являются новыми и характерными для UEFI материнских плат платформы AM4.
SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. Предел 1,2 В.
DRAM Boot Voltage — напряжение, на котором происходит тренировка памяти при запуске системы. Лимит: до 1,45–1,50 В.
VDDP Voltage — это напряжение для транзистора, который конфигурирует содержимое оперативной памяти. Лимит: до 1,1 В.
VPP (VPPM) Voltage — напряжение, которое определяет надежность доступа к строке DRAM.
CLDO_VDDP Voltage — напряжение для DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY, или интерфейс физического уровня DDR4, преобразует информацию, которая поступает из контроллера памяти в формат, понятный модулям памяти DDR4.
Несколько нелогично, что снижение CLDO_VDDP часто может быть более выгодным для стабильности, чем повышение. Опытные оверклокеры также должны знать, что изменение CLDO_VDDP может сдвинуть или устранить дыры в памяти. Небольшие изменения в CLDO_VDDP могут иметь большой эффект, и для CLDO_VDDP нельзя установить значение, превышающее VDIMM –0,1 В. Tсли вы измените это напряжение, то потребуется холодная перезагрузка. Лимит: 1,05 В.
Vref Voltage — источник опорного напряжения оперативной памяти. «Настройка» взаимосвязи контроллера памяти и модуля памяти в зависимости от уровня напряжения, которое рассматривается как «0» или «1»; то есть напряжения, найденные на шине памяти ниже MEMVREF, должны рассматриваться как «0», а напряжения выше этого уровня должны считаться «1». По умолчанию этот уровень напряжения составляет половину VDDIO (около 0,500x). Некоторые материнские платы позволяют пользователю изменять это соотношение, обычно двумя способами: (1) «DRAM Ctrl Ref Voltage» (для линий управления с шины памяти; официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA) и (2) «DRAM Ctrl Data Ref Voltage» (для строк данных с шины памяти; официальное название JEDEC — VREFDQ). Эти параметры настроены как множитель.
VTT DDR Voltage — напряжение, используемое для управления сопротивлением шины, чтобы достигнуть высокой скорости и поддержать целостность сигнала. Это осуществляется с помощью резистора параллельного прерывания.
PLL Voltage — определяет напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop) и является актуальной лишь для повышения стабильности во время разгона системы с помощью BCLK. Лимит: 1,9 В.
CAD_BUS — САПР командной и адресной шины. Для тех, кто может тренировать память на высоких частотах (>=3466 МГц), но не может стабилизировать ее из-за проблем с сигнализацией. Я предлагаю вам попробовать уменьшить токи привода, связанные с «Командой и адресом» (увеличив сопротивление).
CAD_BUS Timings — задержка трансивера. Значения являются битовой маской (грубой / точной задержки). Аналог RTL/IOL в исполнении AMD. Имеют огромное влияние на тренировку памяти.
procODT — значение сопротивления, в омах, который определяет, как завершенный сигнал памяти терминируется. Более высокие значения могут помочь стабилизировать более высокие скорости передачи данных. Ограничение: нет.
RTT (время приема-передачи) — это время, затраченное на отправку сигнала, плюс время, которое требуется для подтверждения, что сигнал был получен. Это время задержки, следовательно, состоит из времени передачи сигнала между двумя точками. Настройка, которая отвечает за оптимизацию целостности сигнала. DRAM предлагает диапазон значений сопротивления нагрузки. Конкретное сопротивление приемника выводов DQ, представленное интерфейсу, выбирается комбинацией начальной конфигурации микросхемы и рабочей команды DRAM, если включено динамическое завершение на кристалле.
Geardown Mode — позволяет памяти уменьшать эффективную скорость передачи данных на шинах команд и адресов.
Power Down Mode — может незначительно экономить энергию системы за счет более высокой задержки DRAM, переводя DRAM в состояние покоя после периода бездействия.
BankGroupSwap (BGS) — настройка, которая изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель этого регулятора — оптимизировать выполнение запросов к памяти, учитывая архитектуру DRAM и тайминги памяти. Теория гласит, что переключение этого параметра может сместить баланс производительности в пользу игр или синтетических приложений.
Игры получают ускорение при отключенной BGS, а пропускная способность памяти AIDA64 была выше при включенной BGS.
Алгоритм настройки системы
Параметры procODT + RTT (NOM, WR и PARK) мы будем подбирать так, чтоб система имела минимальное кол-во ошибок. Тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset). Безусловно, от всех ошибок мы не сможем избавиться, и для этого нам нужен будет следующий шаг.
Цель следующего шага — поиск самого оптимального напряжения для DRAM и SOC, при которых система будет иметь минимальное кол-во ошибок. Сначала подбираем напряжение для SOC, а затем для DRAM (калькулятор вам подскажет диапазон). Для отлова ошибок используем тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset).
В половине случаев вы можете на данном этапе получить полностью стабильную систему. Если тестовый пакет TM5 0.12 не находит ошибок, то вы должны увеличить спектр тестовых программ для проверки стабильности. Вы можете использовать LinX, HCI, Karhu, MEMbench и другие программы. В случае если вышеописанные утилиты нашли ошибку, то вам стоит перейти к следующему шагу, отладочному.
На отладочном шаге главная цель — это изменение определенных таймингов, указанные на иллюстрации ниже.
На данном этапе вы должны проверить по очереди влияние каждого тайминга на стабильность системы. Примечание: я не рекомендую изменять все задержки сразу, постарайтесь набраться терпения. Если тестируемый тайминг никак не улучшает ситуацию, мы его возвращаем на место и проверяем по списку следующую задержку.
На этом шаге основной инструктаж по отладке системы для простых пользователей заканчивается. Дальнейшие шаги я могу посоветовать более опытным оверклокерам, которые знакомы с разгоном достаточно давно.
Тонкая настройка CAD_BUS
и корректировка дополнительных напряжений.
На каждой иллюстрации присутствуют списки параметров, которые мы используем или изменяем. Эти списки я сформировал так, чтобы более приоритетные настройки, которые могут помочь улучшить стабильность, вы проверили первыми. Безусловно, вы можете пойти своей дорогой, четких правил и закономерностей нет.
DRAM Voltage
Другие идентичные по назначению параметры: Adjust Extra DIMM Voltage, DDR SDRAM Voltage, Memory Voltage Regulator, VDIMM Voltage.
Опция DRAM Voltage (Напряжение модулей оперативной памяти) позволяет пользователю вручную установить величину одного из основных рабочих параметров модулей оперативной памяти. Значение напряжения в данной опции указывается в вольтах. В опции нередко можно встретить также вариант Auto, Normal или Default, который позволяет установить значение параметра по умолчанию. Также опция может носить и другие названия, например, Memory Voltage.
Какое значение опции выбрать?
Если вы не занимаетесь разгоном оперативной памяти компьютера, то лучше всего оставить значение по умолчанию, подходящее для вашего типа памяти, поскольку оно гарантирует бесперебойное функционирование аппаратной части компьютера. В противном случае вы можете установить самостоятельно необходимое вам значение. При этом следует помнить, что чрезмерное повышение напряжения модулей памяти, особенно тех, которые специально не предназначены для разгона, может привести к выходу модулей из строя. Кроме того, повышенное напряжение обычно приводит к перегреву модулей, а это, в свою очередь, потребует от вас позаботиться о дополнительном охлаждении системного блока.
Приветствую. Разгонять процессор/оперативку нужно грамотно: осторожно повышать напряжение, следить за температурой, уметь тестировать систему LinX, мониторить показатели AIDA64.
Немаловажно знать значение многих параметров в биосе для максимально эффективного и безопасного разгона.
- Выбор значение например может быть [Auto] [1.50V] [1.60V] [1.70V] [1.80V]. Значение по умолчанию зависит от модели материнки.
- CPU PLL Voltage можно использовать тогда, когда исчерпаны возможности по вольтажу процессора (CPU Voltage).
- Если указываете в CPU PLL Voltage авто, тогда в Internal PLL Overdrive также нужно устанавливать авто (если такая опция вообще присутствует).
Параметр в биосе материнки AsRock:
На скриншоте выше значение увеличено.
Указывается напряжение модулей оперативки. Обычным планкам необходимо штатных 1.5 В либо режим Auto. Данная опция также может называться DIMM Voltage, VDIMM, Memory Voltage, зависит от модели материнки.
Опция в биосе Asus:
Отвечает за напряжение северного моста (чип на плате, часто охлаждается специальным радиатором). Возможные значения: Low, Middle, High, Highest (Низкое, Среднее, Высокое, Высочайшее напряжение). NB расшифровывается как North Bridge.
На заметку: шина FSB жестко привязана к NB Voltage.
Опция NB Voltage Control в биосе:
Принцип работы
Оперативная память является одним из важнейших компонентов персонального компьютера. Ее предназначение – хранение данных, которые используются операционной системой и прикладными программами во время текущего сеанса работы. На аппаратном уровне оперативная память выполнена в виде специальных модулей, на которых расположены микросхемы, содержащие собственно ячейки хранения информации. Эти модули вставляются в особые слоты расширения на материнской плате.
Как правило, ОЗУ компьютера относится категории динамической памяти. От статической динамическую память (Dynamic Random Access Memory или DRAM) отличает более низкое быстродействие, но и, при этом, более низкая цена. Также особенностью динамической памяти является ее потребность в динамическом обновлении данных в установленных на ней микросхемах.
В настоящее время для оперативной памяти используются модули, изготовленные по технологии DDR (Double Data Rate) Synchronous DRAM. Модули DDR используют синхронный, то есть, определяемый тактовым генератором, режим работы, и имеют вдвое большую пропускную способность по сравнению с обычными модулями синхронной памяти (SDRAM).
Частоту работы динамической оперативной памяти можно считать одним из самых важных параметров ее работы, поскольку он во многом определяет ее производительность. Обычно под частотой памяти подразумевают частоту шины памяти на материнской плате.
Следует отличать реальную частоту шины памяти, которая означает количество импульсов, создаваемых тактовым генератором, от эффективной. Эффективная частота является, по сути, реальной скоростью выполнения операций, совершаемых при работе памяти, и для современных типов модулей ОЗУ, таких, как DDR2 и DDR3, может быть в несколько раз выше реальной.
Модули оперативной памяти типа DDR, как правило, работают на частоте в 200, 266, 333, 400 МГц. Модули DDR2 обычно имеют вдвое большие характеристики эффективной частоты по сравнению с DDR2 – 400, 533, 667, 800, 1066 МГц, а, следовательно, и вдвое большую производительность. Память типа DDR3, в свою очередь, имеет вдвое большие показатели эффективной частоты по сравнению с DDR2 – 800, 1066, 1333, 1600, 1800, 2000, 2133, 2200, 2400 МГц.
Для установки частоты работы модулей оперативной памяти во многих BIOS существует функция DRAM Frequency, а также подобные ей опции.
Эти опции обычно встречается только на тех материнских платах, которые имеют контроллеры ОЗУ, позволяющие ей работать в асинхронных режимах, то есть на частотах, независимых от частоты системной шины. Поскольку контроллеры памяти в современных материнских платах, как правило, встроены в чипсет, то чипсеты с такими контроллерами называются асинхронными. Материнские платы с асинхронными чипсетами предоставляют пользователю широкие возможности для разгона ОЗУ.
Опция DRAM Frequency может иметь различные варианты значений. Значение Auto подразумевает, что скорость работы ОЗУ определяется BIOS автоматически. Значение by SPD означает, что частота работы определяется специальными микросхемами, встроенными в модули памяти – микросхемами SPD (Serial Presence Detect, схема последовательного детектирования).
Также данная опция часто позволяет выбрать точные величины частоты ОЗУ из определенного набора значений, поддерживаемых материнской платой. Эти величины всегда указываются в мегагерцах.
В некоторых BIOS могут встретиться и варианты типа 1:1, Linked, Host Clk. Эти варианты подразумевают установку частоты работы модулей памяти равной частоте работы системной шины.
DRAM Frequency
Другие идентичные по назначению опции: Memory Frequency, DRAM Clock By, MEM Clock Setting, Memory Clock (Mhz), New MEM Speed (DDR), System Memory Frequency.
К категории наиболее часто используемых опций BIOS, связанных c настройкой работы оперативной памяти компьютера, относится опция DRAM Frequency (Частота динамического ОЗУ). Она позволяет пользователю установить один из самых важных параметров ОЗУ – частоту работы микросхем памяти.
Заключение
Мы рассмотрели некоторые параметры разгона.
Помните, разгоняя железо вы теоритически уменьшаете срок службы. Поэтому: при разгоне нужен качественный блок питания (советую Seasonic, FPS), водяное охлаждение, не помешают дополнительный кулер на цепях питания процессора (мосфеты, дроссели).
Добавить комментарий Отменить ответ
Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.
Принцип работы
Обычно модули оперативной памяти питаются током, имеющим определенное стандартное напряжение, величина которого зависит от типа и технологии изготовления модулей. Например, модули SDRAM в обычных условиях должны питаться током в 3,3 В, модули DDR – 2,5 В, модули DDR2 – 1,8 В, а модули DDR3 – 1,5 В. В последние годы были разработаны стандарты с еще более низким напряжением – DDR3L и DDR3U. Для модулей памяти, соответствующих первой спецификации, данная величина составляет 1,35 В, а для соответствующих второй – 1,25 В. Таким образом, хорошо заметна тенденция к уменьшению питающего напряжения в зависимости от усовершенствования технологии изготовления модулей памяти. Причину подобного явления легко понять, если учитывать, что снижение напряжения микросхем памяти позволяет уменьшить энергопотребление и тепловыделение памяти.
Хотя в большинстве случаев BIOS автоматически устанавливает нужное напряжение модулей, тем не менее, во многих BIOS пользователю может быть предоставлена возможность изменить значение данного параметра самостоятельно. Для этого и предназначена опция BIOS DRAM Voltage или Memory Voltage.
Какие же цели может преследовать увеличение штатного значения напряжения модулей памяти? Прежде всего, данная операция может применяться в ходе мероприятий по разгону аппаратных компонентов компьютера. Повышенное напряжение стабилизирует работу памяти при повышении частоты шины памяти, при этом обеспечивая приемлемые значения таймингов (задержек выполнения стандартных операций).
Способы выбора вариантов в опции могут варьироваться в зависимости от разновидности BIOS. Часто в опции пользователю предоставляется возможность повысить напряжение на небольшую величину (обычно до 0,3 В) с определенным шагом, например, в 0,1 В. Иногда пользователь может выбрать необходимое значение из списка. Также некоторые BIOS позволяют ввести необходимое число напрямую в текстовом поле. В качестве значения опции пользователь обычно может выбрать также вариант Normal или Automatic (Auto), который означает, что будет использоваться стандартное напряжение для той разновидности памяти, которую поддерживает материнская плата.
Обычно опцию DRAM Voltage можно найти в разделе BIOS, посвященном тонким настройкам производительности системы, где располагаются также такие параметры, как частоты процессора и памяти, напряжения процессора и элементов чипсета. Например, в BIOS от Award данный раздел может называться Motherboard Intelligent Tweaker, а в BIOS от American Megatrends – AI Tweaker.
Следует иметь в виду, что далеко не все материнские платы персональных компьютеров позволяют пользователю менять рабочее напряжение оперативной памяти. Однако это не всегда означает, что в BIOS подобных материнских плат отсутствует данная опция. В некоторых разновидностях опции она имеет лишь информационное значение, показывающее пользователю реальное текущее значение напряжения. Располагаются опции подобного рода в разделе BIOS, посвященном мониторингу параметров аппаратных компонентов персонального компьютера.
Какой вариант выбрать?
Также ручная установка частоты памяти часто используется при разгоне компьютера. Как известно, увеличение частоты работы оперативной памяти в большинстве случаев позволяет повысить производительность компьютера, хотя и не в такой большой степени, как повышение скорости работы процессора. Обычно прирост производительности при разгоне ОЗУ может составлять от 4 до 12 %. Помимо точечного разгона определенного компонента ПК, есть варианты опций, такие как AI Overclock Tuner или Burn-In Mode которые могут регулировать комплексный разгон.
Для разгона памяти пользователь может указать необходимое значение частоты в опции, а затем протестировать её работу при помощи специальных тестовых программ. В случае, если ОЗУ работает без ошибок, то установленное значение можно оставить в качестве постоянного.
Однако не только установка слишком высоких значений частоты оперативной памяти может иметь негативные последствия. В ряде случаев и установка слишком низких значений, выходящих за пределы спецификаций модулей ОЗУ, также может приводить к ошибкам, в том числе и к ошибкам во время загрузки компьютера.
Читайте также: